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香港科技大学研发出首个硅衬底绿黄氮半导体LED

香港科学技术大学(HKUST )最近开发了高性能的硅基蓝朱氮半导体LED,并将这一新的研究成果发表在IEEEEEEELECTronicdeviceletters上(5月29日)。 研究者称565nm黄色LED为最初的硅基板多重量子阱(MQW )设备。 理论上,使用硅作为基板可以削减材料成本,构筑大晶圆直径产品的量产规模的经济效果,但与以往更廉价的独立国家GaN、蓝宝石、碳化硅(SiC )基板相比,硅基板氮半导体更研究人员回答说,这是因为生产更大波长的氮半导体LED非常困难,质量差,无法生产铟浓度更高的氮化铟镓(InGaN )产品。 半导体晶体管领域的硅基板工艺到了10分钟成熟期,但类似的生长方式最近被应用于LED器件材料。

英雄联盟比赛竞猜网址在2英寸硅晶片中,使用由氮化铝(AlN )的温度梯度和8对氮化铝/氮化镓(AlN/GaN )层构成的金属有机气相沉积(MOCVD )技术分解第一个模板,构建了超强晶格(SL ) mGaN缓冲层研究者首先展开溶解SiO2层和ITO (铟锡氧化物)层,用氯化氢(HCL )酸溶液展开转印ITO,最后用等离子体转印法构成了二氧化硅(SiO2)纳米棒。 纳米篮的密度为2x109/cm2,表面覆盖度为35%; 作为GaN重新生长的传感器,可以减少晶格密度,提高结晶质量。 然后利用MOCVD技术分解LED结构,形成纳米棒、AlN/GaNSL三明治、2mu; 将mN型GaN、5周期多重量子阱(MQW )及200nm的pgan周边进一步分解800nmGaN。

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进一步分解的GaN晶格密度为8x108/cm2,被称为“低硅基板GaN晶格密度之一”。 研究人员随后打算限定发射黄色(565nm )和绿色(505和530nm )光的材料制造300mu。 mx300mu; 正如mLED芯片预期的那样,随着波长的减少,光输出(LOP )逐渐上升。

在20mA条件下,505nm波长的输出功率为1.18mW,530nm和565nm波长的输出功率分别为0.30mW和74mu。 w。

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对于505nm、530nm、565nm设备,光输出分别在7.60mW(200mA )、2.72mW(180mA )和0.52mW(160mA )的条件下超过了饱和状态。 这被认为是565nm的黄色InGaN/GaNMQWLED在硅基板上顺利生产,505nmLED的LOP比以往的硅LED设备低。

我相信除了提高材料的质量外,纳米篮也能强化光提取衍射效果。【官方网站】。

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